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新閃存接口標準已經出爐，NAND訪問速度有望翻倍達到400MB/s，閃存對消費級設備和業務計算將更具吸引力。
新閃存接口標準已經出爐，NAND訪問速度有望翻倍達到400MB/s，閃存對消費級設備和業務計算將更具吸引力。
開放NAND閃存接口(Open NAND Flash Interface，ONFI)工作委員會已頒布了ONFI v3.0標準。該委員會成立于2006年5月，目前已發展了100多名的組織成員，分別來自制造、設計或使用閃存產品的群體，包括海力士、英特爾、美光、SanDisk和索尼。
v3.0標準通過非易失性DDR2(NV-DDR2)接口可使NAND接口速度從ONFI v2.1標準的200MB/s增加到400MB/s。新標準可向后兼容以前的ONFI標準。
關于ONFI的聲明稱：“ONFI 3.0標準采用了復雜的模片選擇功能，可減少芯片啟用(CE)引針數，進而減少控制器的引針數，提高PCB布線效率。減少CE引針數對于SSD至關重要，可顯著降低其成本，并可將額外的引針分配給系統內的其他任務。”
據估計，未來版本會增加對ECC Zero(EZ-NAND接口)的支持，以使應用NAND的系統免去NAND ECC操作的復雜集成，從而簡化導入設計進程。ONFI 3.0標準應該會被普及的應用。
編輯：信誠IT保姆http://www.aboverow.cn |
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