| 內存常見術語介紹
BANK：BANK是指內存插槽的計算單位(也有人稱為記憶庫)，它是計算機系統與內存間資料匯流的基本運作單位。
內存的速度：內存的速度是以每筆CPU與內存間數據處理耗費的時間來計算，為總線循環(bus cycle)以奈秒(ns)為單位。
內存模塊 (Memory Module)：提到內存模塊是指一個印刷電路板表面上有鑲嵌數個記憶體芯片chips，而這內存芯片通常是 DRAM芯片，但近來系統設計也有使用快取隱藏式芯片鑲嵌在內存模塊上內存模塊是安裝在PC 的主機板上的專用插槽(Slot)上鑲嵌在Module上 DRAM芯片(chips)的數量和個別芯片(chips)的容量，是決定內存模塊的設計的主要因素。
SIMM (Single In-line Memory Module)：電路板上面焊有數目不等的記憶IC，可分為以下2種型態：
72PIN：72腳位的單面內存模塊是用來支持32位的數據處理量。
30PIN：30腳位的單面內存模塊是用來支持8位的數據處理量。
DIMM (Dual In-line Memory Module)：（168PIN） 用來支持64位或是更寬的總線，而且只用3.3伏特的電壓，通常用在64位的桌上型計算機或是服務器。
RIMM：RIMM模塊是下一世代的內存模塊主要規格之一，它是Intel公司于1999年推出芯片組所支持的內存模塊，其頻寬高達1.6Gbyte/sec。
SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) （144PIN）： 這是一種改良型的DIMM模塊，比一般的DIMM模塊來得小，應用于筆記型計算機、列表機、傳真機或是各種終端機等。
PLL： 為鎖相回路,用來統一整合時脈訊號,使內存能正確的存取資料。
Rambus 內存模塊 （184PIN）： 采用Direct RDRAM的內存模塊，稱之為RIMM模塊，該模塊有184pin腳，資料的輸出方式為串行，與現行使用的DIMM模塊168pin，并列輸出的架構有很大的差異。
6層板和4層板(6 layers V.S. 4 layers)： 指的是電路印刷板PCB Printed Circuit Board 用6層或4層的玻璃纖維做成，通常SDRAM會使用6層板，雖然會增加PCB的成本但卻可免除噪聲的干擾，而4層板雖可降低PCB的成本但效能較差。
Register：是緩存器的意思,其功能是能夠在高速下達到同步的目的。
SPD：為Serial Presence Detect 的縮寫，它是燒錄在EEPROM內的碼，以往開機時BIOS必須偵測memory，但有了SPD就不必再去作偵測的動作，而由BIOS直接讀取 SPD取得內存的相關資料。
Parity和ECC的比較：同位檢查碼(parity check codes)被廣泛地使用在偵錯碼 (error detection codes)上，他們增加一個檢查位給每個資料的字元(或字節)，并且能夠偵測到一個字符中所有奇(偶)同位的錯誤，但Parity有一個缺點，當計算機查到某個Byte有錯誤時，并不能確定錯誤在哪一個位，也就無法修正錯誤。
緩沖器和無緩沖器（Buffer V.S. Unbuffer）：有緩沖器的DIMM 是用來改善時序(timing)問題的一種方法無緩沖器的DIMM雖然可被設計用于系統上，但它只能支援四條DIMM。若將無緩沖器的DIMM用于速度為100Mhz的主機板上的話，將會有存取不良的影響。而有緩沖器的DIMM則可使用四條以上的內存，但是若使用的緩沖器速度不夠快的話會影響其執行效果。換言之，有緩沖器的DIMM雖有速度變慢之虞，但它可以支持更多DIMM的使用。
自我充電 (Self-Refresh)：DRAM內部具有獨立且內建的充電電路于一定時間內做自我充電， 通常用在筆記型計算機或可攜式計算機等的省電需求高的計算機。
預充電時間 (CAS Latency)：通常簡稱CL。例如CL=3，表示計算機系統自主存儲器讀取第一筆資料時，所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間，相差一個時脈，對整個系統的效能并無顯著影響。
時鐘信號 (Clock)：時鐘信號是提供給同步內存做訊號同步之用，同步記憶體的存取動作必需與時鐘信號同步。
電子工程設計發展聯合會議 (JEDEC)：JEDEC大部分是由從事設計、發明的制造業尤以有關計算機記憶模塊所組成的一個團體財團，一般工業所生產的記憶體產品大多以JEDEC所制定的標準為評量。
只讀存儲器ROM (Read Only Memory)：ROM是一種只能讀取而不能寫入資料之記燱體，因為這個特所以最常見的就是主機板上的 BIOS (基本輸入/輸出系統Basic Input/Output System)因為BISO是計算機開機必備的基本硬件設定用來與外圍做為低階通信接口，所以BISO之程式燒錄于ROM中以避免隨意被清除資料。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)：為一種將資料寫入后即使在電源關閉的情況下，也可以保留一段相當長的時間，且寫入資料時不需要另外提高電壓，只要寫入某一些句柄，就可以把資料寫入內存中了。
EPROM (Erasable Programmable ROM)：為一種可以透過紫外線的照射將其內部的資料清除掉之后，再用燒錄器之類的設備將資料燒錄進 EPROM內，優點為可以重復的燒錄資料。
程序規畫的只讀存儲器 (PROM)：是一種可存程序的內存，因為只能寫一次資料，所以它一旦被寫入資料若有錯誤，是無法改變的且無法再存其它資料，所以只要寫錯資料這顆內存就無法回收重新使用。
MASK ROM：是制造商為了要大量生產，事先制作一顆有原始數據的ROM或EPROM當作樣本，然后再大量生產與樣本一樣的 ROM，這一種做為大量生產的ROM樣本就是MASK ROM，而燒錄在MASK ROM中的資料永遠無法做修改。
隨機存取內存RAM ( Random Access Memory)：RAM是可被讀取和寫入的內存，我們在寫資料到RAM記憶體時也同時可從RAM讀取資料，這和ROM內存有所不同。但是RAM必須由穩定流暢的電力來保持它本身的穩定性，所以一旦把電源關閉則原先在RAM里頭的資料將隨之消失。
動態隨機存取內存 DRAM (Dynamic Random Access Memory)：DRAM 是 Dynamic Random Access Memory 的縮寫，通常是計算機內的主存儲器，它是而用電容來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，所以內存內的資料須持續地存取不然資料會不見。
FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)：是改良的DRAM，大多數為72IPN或30PIN的模塊，FPM 將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512 bite 到數 Kilobytes 不等，它特色是不需等到重新讀取時，就可讀取各page內的資料。
EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)：EDO的存取速度比傳統DRAM快10%左右，比FPM快12到30倍一般為72PIN、168PIN的模塊。
SDRAM：Synchronous DRAM 是一種新的DRAM架構的技術；它運用晶片內的clock使輸入及輸出能同步進行。所謂clock同步是指記憶體時脈與CPU的時脈能同步存取資料。SDRAM節省執行指令及數據傳輸的時間，故可提升計算機效率。
DDR：DDR 是一種更高速的同步內存，DDR SDRAM為168PIN的DIMM模塊，它比SDRAM的傳輸速率更快， DDR的設計是應用在服務器、工作站及數據傳輸等較高速需求之系統。
DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM)：DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯盟于1999年解散后將既有的研發成果與DDR整合之后的未來新標準。DDRII的詳細規格目前尚未確定。
DRDRAM (Direct Rambus DRAM)：是下一代的主流內存標準之一，由Rambus 公司所設計發展出來，是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。
RDRAM (Rambus DRAM)：是由Rambus公司獨立設計完成，它的速度約一般DRAM的10倍以上，雖有這樣強的效能，但使用后內存控制器需要相當大的改變，所以目前這一類的內存大多使用在游戲機器或者專業的圖形加速適配卡上。
VRAM (Video RAM)：與DRAM最大的不同在于其有兩組輸出及輸入口，所以可以同時一邊讀入，一邊輸出資料。
WRAM (Window RAM)：屬于VRAM的改良版，其不同之處在于其控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器，并采用EDO的資料存取模式。
MDRAM (Multi-Bank RAM)：MIDRAM 的內部分成數個各別不同的小儲存庫 (BANK)，也就是數個屬立的小單位矩陣所構成。每個儲存庫之間以高于外部的資料速度相互連接，其應用于高速顯示卡或加速卡中。
靜態隨機處理內存 SRAM (Static Random Access Memory)：SRAM 是 Static Random Access Memory 的縮寫，通常比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定。所謂靜態的意義是指內存資料可以常駐而不須隨時存取。因為此種特性，靜態隨機處理內存通常被用來做高速緩存。
Async SRAM：為異步SRAM這是一種較為舊型的SRAM，通常被用于電腦上的 Level 2 Cache上，它在運作時獨立于計算機的系統時脈外。
Sync SRAM：為同步SRAM，它的工作時脈與系統是同步的。
SGRAM (Synchronous Graphics RAM)：是由SDRAM再改良而成以區塊Block為單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內存整體讀寫的次數增加繪圖控制器。
高速緩存 (Cache Ram)：為一種高速度的內存是被設計用來處理運作CPU。快取記憶體是利用 SRAM 的顆粒來做內存。因連接方式不同可分為一是外接方式(External)另一種為內接方式(Internal)。外接方式是將內存放在主機板上也稱為Level 1 Cache而內接方式是將內存放在CPU中稱為Level 2 Cache。
PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association)：是一種標準的卡片型擴充接口，多半用于筆記型計算機上或是其它外圍產品，其種類可以分為：
Type 1：3.3mm的厚度，常作成SRAM、Flash RAM 的記憶卡以及最近打印機所使用的DRAM記憶卡。
Type 2：5.5mm的厚度，通常設計為筆記計算機所使用的調制解調器接口(Modem)。
Type 3：10.5mm的厚度，被運用為連接硬盤的ATA接口。
Type 4：小型的PCMCIA卡，大部用于數字相機。
FLASH：Flash內存比較像是一種儲存裝置，因為當電源關掉后儲存在Flash內存中的資料并不會流失掉，在寫入資料時必須先將原本的資料清除掉，然后才能再寫入新的資料，缺點為寫入資料的速度太慢。
重新標示過的內存模塊（Remark Memory Module）：在內存市場許多商家都會販售重新標示過的內存模塊，所謂重新標示過的內存模塊就是將芯片Chip上的標示變更過，使其所顯示出錯誤的訊息以提供商家賺取更多的利潤。一般說來，業者會標示成較快的速度將( -7改成-6)或將沒有廠牌的改為有廠牌的。要避免購買到這方面的產品，最佳的方法就是向好聲譽的供貨商來購買頂級芯片制造商產品。
內存的充電 (Refresh)：主存儲器是DRAM組合而成，其電容需不斷充電以保持資料的正確。一般有2K與4K Refresh的分類，而2K比4K有較快速的Refresh但2K比4K耗電。
編輯：北京信誠IT保姆IT外包部 http:// www.aboverow.cn www.xcit.com.cn |
當前位置：
